| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 416W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Package / Case | SP1 |
MOSFET N-CH 600V 72A SP1 - N-Channel 600V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1
Транзисторы полевые APTC60DAM35T1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.