| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 210A |
| Power - Max | 961W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP3 |
| Supplier Device Package | SP3 |
IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 - IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 961W Chassis Mount SP3
IGBT модули APTGF150A120T3WG
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.