РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGF150DH120G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 76745

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Configuration Asymmetrical Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 200A 
Power - Max 961W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A 
Current - Collector Cutoff (Max) 350µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 10.2nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SP6 
Supplier Device Package SP6 

Описание

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 - IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6

IGBT модули APTGF150DH120G

Datasheet APTGF150DH120G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.