РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGF165A60D1G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 76752

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 230A 
Power - Max 781W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case D1 
Supplier Device Package D1 

Описание

IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 - IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 781W Chassis Mount D1

IGBT модули APTGF165A60D1G

Datasheet APTGF165A60D1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
APTGF165A60D1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.