РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGF50DH60T1G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 77135

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Configuration Asymmetrical Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 65A 
Power - Max 250W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SP1 
Supplier Device Package SP1 

Описание

IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 - IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1

IGBT модули APTGF50DH60T1G

Datasheet APTGF50DH60T1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
APTGF50DH60T1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.