РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGT100BB60T3G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75249
6 211.80 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 150A 
Power - Max 340W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A 
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case SP3 
Supplier Device Package SP3 

Описание

POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3 - IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3

IGBT модули APTGT100BB60T3G

Datasheet APTGT100BB60T3G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Мин. кол-воЦена
6 211.80 р. 
APTGT100BB60T3G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.