РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGT200A120D3G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 76007
11 071.24 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 300A 
Power - Max 1040W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 6mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case D-3 Module 
Supplier Device Package D3 

Описание

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 - IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3

IGBT модули APTGT200A120D3G

Datasheet APTGT200A120D3G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
11 071.24 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.