РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGT200A602G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75589
4 579.36 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 290A 
Power - Max 625W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SP2 
Supplier Device Package SP2 

Описание

POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 - IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP2

IGBT модули APTGT200A602G

Datasheet APTGT200A602G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
4 579.36 р. 
APTGT200A602G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.