РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGT35A120T1G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75452
3 235.12 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 55A 
Power - Max 208W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A 
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SP1 
Supplier Device Package SP1 

Описание

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 - IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1

IGBT модули APTGT35A120T1G

Datasheet APTGT35A120T1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
3 235.12 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.