РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGT50DH120T3G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 77189

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Asymmetrical Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Power - Max 277W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SP3 
Supplier Device Package SP3 

Описание

MOD IGBT 1200V 75A SP3 - IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3

IGBT модули APTGT50DH120T3G

Datasheet APTGT50DH120T3G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.