РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGT75H60T1G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75580
4 525.74 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Full Bridge Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 100A 
Power - Max 250W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A 
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SP1 
Supplier Device Package SP1 

Описание

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 - IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP1

IGBT модули APTGT75H60T1G

Datasheet APTGT75H60T1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
4 525.74 р. 
APTGT75H60T1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.