РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTGTQ100H65T3G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75747
6 215.15 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Configuration Full Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 100A 
Power - Max 250W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A 
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package SP3F 

Описание

POWER MODULE - IGBT - IGBT Module Full Bridge 650V 100A 250W Chassis Mount SP3F

IGBT модули APTGTQ100H65T3G

Datasheet APTGTQ100H65T3G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
6 215.15 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.