| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Power - Max | 483W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 12nF @ 25V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | SP3F |
POWER MODULE - IGBT - IGBT Module Half Bridge 650V 200A 483W Chassis Mount SP3F
IGBT модули APTGTQ200A65T3G
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 6 215.15 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.