| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2000nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31600pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | Module |
| Package / Case | J3 Module |
MOSFET N-CH 1000V 65A J3 - N-Channel 1000V 65A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount Module
Транзисторы полевые APTM100U13SG
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.