| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Package / Case | SP6 |
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 - N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
Транзисторы полевые APTM120U10DAG
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.