РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APTM50DAM38CTG

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 130065

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 694W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 45A, 10V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Supplier Device Package SP4 
Package / Case SP4 

Описание

MOSFET N-CH 500V 90A SP4 - N-Channel 500V 90A (Tc) 694W (Tc) Chassis Mount SP4

Транзисторы полевые APTM50DAM38CTG

Datasheet APTM50DAM38CTG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.