РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

ATP218-TL-H

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 132980

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±10V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 60W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 50A, 4.5V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package ATPAK 
Package / Case ATPAK (2 leads+tab) 

Описание

MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK - N-Channel 30V 100A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK

Транзисторы полевые ATP218-TL-H

Datasheet ATP218-TL-H (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
ATP218-TL-H
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.