| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 38A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK - P-Channel 100V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые AUIRF5210S
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.