РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

AUIRLL014N

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133918

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series HEXFET® 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 
Vgs (Max) ±16V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 2A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-223 
Package / Case TO-261-4, TO-261AA 

Описание

MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 - N-Channel 55V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Транзисторы полевые AUIRLL014N

Datasheet AUIRLL014N (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Цена доступна по запросу
AUIRLL014N
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.