| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 30V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 - N-Channel 60V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Транзисторы полевые BS7067N06LS3G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.