| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 15V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Package / Case | 3-WDSON |
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON - N-Channel 30V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Транзисторы полевые BSB012N03LX3 G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.