РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSC200P03LSGAUMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131578

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 100µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.5nC @ 10V 
Vgs (Max) ±25V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2430pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 63W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 12.5A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TDSON-8 
Package / Case 8-PowerTDFN 

Описание

MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 - P-Channel 30V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Транзисторы полевые BSC200P03LSGAUMA1

Datasheet BSC200P03LSGAUMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
BSC200P03LSGAUMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.