РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSC205N10LS G

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133643

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta), 45A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 43µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 76W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5 mOhm @ 45A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TDSON-8 
Package / Case 8-PowerTDFN 

Описание

MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 - N-Channel 100V 7.4A (Ta), 45A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Транзисторы полевые BSC205N10LS G

Datasheet BSC205N10LS G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
BSC205N10LS G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.