РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSC240N12NS3 G

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133647

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 60V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 66W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 31A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TDSON-8 
Package / Case 8-PowerTDFN 

Описание

MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON - N-Channel 120V 37A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Транзисторы полевые BSC240N12NS3 G

Datasheet BSC240N12NS3 G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
BSC240N12NS3 G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.