РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSC889N03LSGATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133658

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 45A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TDSON-8 
Package / Case 8-PowerTDFN 

Описание

MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 - N-Channel 30V 13A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Транзисторы полевые BSC889N03LSGATMA1

Datasheet BSC889N03LSGATMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
BSC889N03LSGATMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.