РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSD214SN L6327

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131579

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V 
Vgs (Max) ±12V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-SOT363-6 
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 

Описание

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 - N-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6

Транзисторы полевые BSD214SN L6327

Datasheet BSD214SN L6327 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
BSD214SN L6327
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.