РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSF050N03LQ3GXUMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133783

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 60A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 28W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™ 
Package / Case 3-WDSON 

Описание

MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON - N-Channel 30V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™

Транзисторы полевые BSF050N03LQ3GXUMA1

Datasheet BSF050N03LQ3GXUMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
BSF050N03LQ3GXUMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.