РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSF077N06NT3GXUMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133666

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 56A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 33µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 30V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 38W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7 mOhm @ 30A, 10V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™ 
Package / Case 3-WDSON 

Описание

MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 - N-Channel 60V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™

Транзисторы полевые BSF077N06NT3GXUMA1

Datasheet BSF077N06NT3GXUMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
BSF077N06NT3GXUMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.