| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Package / Case | 3-WDSON |
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 - N-Channel 30V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Транзисторы полевые BSF083N03LQ G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.