РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSL802SNL6327HTSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131586

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 30µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 2.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1347pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TSOP6-6 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 - N-Channel 20V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6

Транзисторы полевые BSL802SNL6327HTSA1

Datasheet BSL802SNL6327HTSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
BSL802SNL6327HTSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.