| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | - |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150A |
| Power - Max | 800W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
IGBT 2 MED POWER 62MM-1 - IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 800W Chassis Mount Module
IGBT модули BSM100GB120DN2HOSA1
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 12 573.54 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.