РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75857
8 160.61 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Configuration Three Phase Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 35A 
Power - Max 200W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A 
Current - Collector Cutoff (Max) 800µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 - IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 35A 200W Chassis Mount Module

IGBT модули BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
8 160.61 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.