РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSM75GAR120DN2HOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75813
7 237.31 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Single 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 30A 
Power - Max 235W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A 
Current - Collector Cutoff (Max) 400µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT 2 MED POWER 34MM-1 - IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 30A 235W Chassis Mount Module

IGBT модули BSM75GAR120DN2HOSA1

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
7 237.31 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.