| Макс.напр.к-э,В | - |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | - |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | - |
| Структура модуля | - |
| Тип силового модуля | - |
| Максимальная частота модуляции,кГц | - |
| Входная емкость затвора,нФ | - |
| Мощность привода, кВт | - |
| Драйвер управления | - |
| Защита по току | - |
| Защита от короткого замыкания | - |
| Защита от перегрева | - |
| Защита от пониженного напряжения питания | - |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | - |
| Максимальный ток эмиттера, А | - |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | - |
| Напряжение изоляции, В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А - IGBT модули
IGBT модули BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 11 743.36 р. |
| 10 | 11 438.03 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.