РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSM75GB170DN2HOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 77306

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 110A 
Power - Max 625W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT 1700V 110A 625W MODULE - IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module

IGBT модули BSM75GB170DN2HOSA1

Datasheet BSM75GB170DN2HOSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.