РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSO080P03SNTMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131589

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.6A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 136nC @ 10V 
Vgs (Max) ±25V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5890pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.79W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 14.9A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-DSO-8 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO - P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8

Транзисторы полевые BSO080P03SNTMA1

Datasheet BSO080P03SNTMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
BSO080P03SNTMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.