| Manufacturer | Nexperia USA Inc. |
| Series | TrenchMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 520mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 150mA, 5V |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 - N-Channel 100V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые BSP110,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.