Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Vgs (Max) | 20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 200mA, 10V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 - P-Channel 250V 200mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые BSP254A,126
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.