Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | SIPMOS® |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.9A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 - N-Channel 60V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Транзисторы полевые BSP320SL6433HTMA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.