РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSS123L6433HTMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133679

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series SIPMOS® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.67nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 69pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 170mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-SOT23-3 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 - N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3

Транзисторы полевые BSS123L6433HTMA1

Datasheet BSS123L6433HTMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
BSS123L6433HTMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.