| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | SIPMOS® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 25V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 - N-Channel 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Транзисторы полевые BSS126H6327XTSA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.