РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSS139L6327HTSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 130966

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series SIPMOS® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 56µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76pF @ 25V 
FET Feature Depletion Mode 
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 0.1mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-SOT23-3 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 - N-Channel 250V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3

Транзисторы полевые BSS139L6327HTSA1

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
BSS139L6327HTSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.