| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | SIPMOS® |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 - P-Channel 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Транзисторы полевые BSS83PL6327HTSA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.