РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BSS84AKT,115

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 134757

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta), 770mW (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 100mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SC-75 
Package / Case SC-75, SOT-416 

Описание

MOSFET P-CH 50V SC-75 - P-Channel 50V 150mA (Ta) 250mW (Ta), 770mW (Tc) Surface Mount SC-75

Транзисторы полевые BSS84AKT,115

Datasheet BSS84AKT,115 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
BSS84AKT,115
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.