| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Series | TrenchMOS™ |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 150mA, 5V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 - N-Channel 100V 190mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые BST72A,112
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.