| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2630pF @ 20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35 mOhm @ 20A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 - N-Channel 40V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Транзисторы полевые BSZ023N04LSATMA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.