| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 10A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223 - N-Channel 55V 7A (Tc) 8W (Tc) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые BUK7880-55A,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.