РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BUK7E2R7-30B,127

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136555

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6212pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 25A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package I2PAK 
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 

Описание

MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK - N-Channel 30V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK

Транзисторы полевые BUK7E2R7-30B,127

Datasheet BUK7E2R7-30B,127 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
BUK7E2R7-30B,127
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.