Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | TrenchMOS™ |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 693pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 59.4W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 20A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK - N-Channel 40V 35.3A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Транзисторы полевые BUK7Y25-40B/C,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.