РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BUK9518-55,127

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136449

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 
Vgs (Max) ±10V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 25A, 5V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220AB 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 55V 57A TO220AB - N-Channel 55V 57A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Транзисторы полевые BUK9518-55,127

Datasheet BUK9518-55,127 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
BUK9518-55,127
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.